有研历程
1、创建与成长(改革开放前30年)
有研总院是由旧中国经济部所属矿冶研究所演变而来的。新中国成立后,经过三年的努力,国民经济得到了恢复和发展,当时,重工业部组建了包括矿冶研究所在内的综合工业实验所筹备处。1952年11月27日,重工业部做出《关于改组综合工业试验所筹备处的决定》,将其中的冶金、选矿、采矿、分析等部分分出成立了“中央人民政府重工业部有色局有色金属工业试验所”,我国第一个全国性的有色金属科学研究机构从此诞生。
当时,有研总院设置的研究领域包括:有色金属选冶与资源综合利用(选矿、选矿剂的研究、有色金属冶炼)、稀有和稀土金属的提取冶金(铍、钛、锆铪、钽铌、稀土、锂冶金)、半导体材料(锗、硅、化合物半导体、非晶硅)、新材料(钛合金、锆合金、钽铌材等)、材料加工技术、有色金属分析与测试、专用设备的研究与制造、稀土和钛农用技术。
1956年,全面开展了稀有金属的研究工作,进行了海绵钛制取、锆铪分离、钽铌分离及制取锂铍的研究,试制出钽、铌、镓、碲,设计制造出我国第一台非自耗电弧炉,研制出可锻性钛和金属锗。1957年开始研究硅。
1958年,有研总院开展了一场稀有金属提取工艺的“堡垒”战斗,主攻目标是国防军工急需的材料,包括锂、铍、锆、铪、钛、钒、钽、铌、钨钼及其合金等。1958年6月制备了16种单一稀土氧化物。1962年,攻克了硝酸-盐酸TBP萃取分离技术,同时获得原子能级的二氧化锆和二氧化铪。1959年,已能拉制直径为30-36毫米的硅单晶,同时试制出区熔单晶硅,1962年研究成功三氯氢硅还原法生产多晶硅工艺。
1958-1962年,在冶金系统内攻占了全部稀有金属的分离和制备工艺,使我国具备了制备各种有色金属的能力,提前5年达到了全国十二年科学技术规划中对稀有金属进度的全部要求。
1963年开始,有研总院将实现稀有金属工业化作为中心任务。先后输送了1100余名科技人员和4200多台(套)大型仪器设备,组建扩建了遵义钛厂、宁夏有色金属冶炼厂、宝鸡有色金属加工厂等10多个稀有金属、半导体材料等领域的大中型企业和科研院所,为建立我国的稀有金属工业体系和推动国民经济的发展做出了重大贡献。
2、改革与发展(1978-1999年)
1978-1999年,有研总院加强了技术创新力度,取得了一批重要科技成果。其中,国家发明奖28项,国家科技进步奖40项,省部级科技进步奖579项。
20世纪70年代后期,积极参加国家科委和方毅同志领导的金川、包头、攀枝花三大共生矿的资源综合利用。利用第三代硫酸法冶炼包头稀土精矿新技术,先后建成了4条生产线,该研究成果获1990年国家科技进步三等奖。与金川有色金属公司共同研究成功的钴渣提取氧化钴工艺属于1989年国家科技进步奖特等奖子项之一。与白银公司等单位研究成功的白银炼铜法和富氧熔池熔炼分获国家发明二等奖和国家科技进步一等奖。稀土农用成果获1988年国家科技进步二等奖、1989-1991国家级推广表彰奖。
上世纪90年代以来,有研总院充分发挥综合研究开发能力,积极承担国家国家高技术产业化、科技攻关、“863”、“973”、军工配套、国家自然科学基金、中小企业创新基金以及有色金属工业总公司、北京市科技项目等各类纵向科研项目。共承担纵向科技项目(课题)近700项,到院经费约近10亿元。加大了与国内企业的横向合作,积极转让技术和开展技术服务,为我国有色金属等行业的科技进步、产业结构调整做出了突出贡献。
1992年、1995年先后研制出我国第一根直径6英寸、8英寸硅单晶;1997年成功拉制出我国第一根12英寸硅单晶,当年被两院院士评为中国十大科技进展之一,使我国成为世界上继美、日、德之后拥有此项技术的国家;1999年,拉制出我国第一根4英寸半绝缘VCZ GaAs单晶,填补了国内空白,使我国成为继日本、德国之后第三个掌握此项技术的国家,被评为中国有色金属行业十大新闻。
改革开放以来,有研总院贯彻国家科委提出的稳住加强一头、放开搞活一片的精神,鼓励科技人员从事开发应用研究,积极兴办特色产业,同时加快国家级研究中心的建设步伐。通过科技与金融的有效结合,先后组建了1个上市公司、4个控股公司和若干个参股公司,加速了科技成果的转化,1999年独家发起设立了有研半导体材料股份有限公司,并于3月19日在上证所挂牌上市;引入多元化投资机制,试点管理人员和员工入股、技术入股,优化产权结构,促进红外光学材料、有色金属粉末等高技术产业的迅速发展;鼓励原始创新,加强应用基础和高技术研究,在关键领域和若干科技发展前沿领域掌握核心技术和拥有一批自主知识产权;坚持技术创新,加大科研投入,紧密结合市场需求,积极开展工程化、产业化技术开发;确立了“以有色金属新材料为核心主业,涉足信息、加工、能源、环保、服务等领域的有限多元化发展的高科技企业集团”的企业定位,并构筑了有研集团框架结构。
3、跨越与壮大(2000-2008年)
进入新世纪以来,全院上下进一步解放思想,转变观念,锐意改革,开拓创新,紧密围绕建设国际一流、国内领先的科研基地和高科技实体的目标,坚持走发展高科技,实现产业化的道路,逐步形成了集科学研究、技术开发、高新技术产业、内贸外贸于一体的国际化高科技企业集团的发展格局。
2000-2008年,累计实现综合收入159.5亿元,净利润4.25亿元,科研经费到款9.64亿元,获部级以上成果奖105项,发表科技论文1720篇;申请专利966项、授权专利422项,进出口贸易总额5.91亿美元。
同期,还取得了一批具有重大意义的科研项目和科研成果。2000年7月,研制成功国内第一根百米铋系高温超导长带,当年被部分两院院士和首都主要新闻媒体联合评为中国十大科技新闻,被科技日报《高技术产业周刊》评为中国十大高技术产业新闻。由王淀佐院士主持开展的“硫化矿电位调控浮选理论与实践”项目,解决了复杂多金属硫化矿分离这一国际选矿界的难题,在国内推广使用取得了明显的经济效益和社会效益,获得2000年度国家科技进步一等奖。2002年研制出我国第一根18英寸直拉硅单晶,标志着我国硅材料研究进入了国际先进行列。与华锡集团等单位合作开展了“提高大厂难选锡石多金属硫化矿选矿技术经济指标的研究”项目,解决了难选多金属硫化矿选矿的世界性技术难题,并应用于华锡车河选厂,三年累计经济效益达2.6亿元,获国家科技进步二等奖。
在技术创新方面,有研总院还取得了一些重大成果。2-3μmIC用直径5英寸直拉硅单晶(片)的研制、大直径红外光学锗晶体、用于微波器件及电路的大面积YBCO超导薄膜、高性能特薄铝板、包头混合型稀土精矿酸法冶炼工艺的应用推广、还原蒸馏联合法制钛工艺及设备等项目获国家科技进步二等奖;高性能β型钛合金、一种用镍纤维织物制作的屏蔽服、高性能铜铝镁冷阴极材料等项目获国家技术发明三等奖;国家半导体材料8英寸硅抛光片高技术产业化示范工程生产线于2001年2月竣工投产,标志着我国深亚微米超大规模集成电路用硅单晶抛光片的生产达到了世界先进水平。